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US6J11
Pch -12V -1.3A Power MOSFET
l Outline
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
I D
P D
- 12V
260m W
- 1.3A
1.0W
TUMT6
(1)
(2)
(3)
(6)
(5)
(4)
l Features
1) Low on - resistance.
2) - 1.5V Drive.
3) Built-in G-S Protection Diode.
4) Small Surface Mount Package (TUMT6).
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
l Inner circuit
(1) Tr1 Source
(2) Tr1 Gate
(3) Tr2 Drain
(4) Tr2 Source
(5) Tr2 Gate
(6) Tr1 Drain
* 1 ESD PROTECTION DIODE
* 2 BODY DIODE
l Packaging specifications
Packaging
Taping
l Application
Reel size (mm)
180
DC/DC converters
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
8
3,000
TR
J11
l Absolute maximum ratings (T a = 25°C) <It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
Symbol
V DSS
I D *1
I D,pulse *2
V GSS
P D *3
P D *4
T j
T stg
Value
- 12
? 1.3
? 5.2
? 10
1.0
0.7
0.32
150
- 55 to + 150
Unit
V
A
A
V
W / total
W / element
W / total
°C
°C
2012.10 - Rev.B
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